IRF3704/3704S/3704L
1000
VGS
1000
VGS
100
TOP     10.0V
9.0V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
100
TOP     10.0V
9.00V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
4.5V
BOTTOM 3.5V
10
1
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25 ° C
10
1
3.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175 ° C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
100
T J = 25 ° C
 
T J = 175 ° C
 
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 77A
 
 
 
T J , Junction Temperature ( C)
10
3.0
V DS = 15V
20μs PULSE WIDTH
4.0      5.0       6.0       7.0       8.0
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
°
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料
IRF3704ZCSTRLP MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3704ZSTRLPBF MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
IRF3706STRLPBF MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRF3706STRR MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK
IRF3707STRLPBF MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRF3707STRR MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK
IRF3707ZCSTRLP MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
IRF3707ZSTRLP MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRF3704STRRPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704Z 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZCL 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET
IRF3704ZCLPBF 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A TO-262 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704ZCS 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3704ZCSHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 67A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF3704ZCSPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 20V, 67A, 7.9 MOHM, 8.7 NC QG, D2-PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN D2PAK - Rail/Tube
IRF3704ZCSTRLP 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件